一、什么是pn结 pnp npp
PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。
这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。
PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。
反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。
PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。
一般三极管有三个工作状态：
放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。
截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。
以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。
二、一个NPN型三极管饱和时两个PN结均为正偏，集电极和发射极的电子是不是都流向基极呢?可IC又怎么会从C到E呢?
呵呵，书上说的是正确的，这个问题的确困惑了很多人，让我们陷入误区的是IC的流向问题，需要指出的是三极管不是二极管，不可以用二极管的概念套用在三极管上，这是两种内部结构完全不同的器件，需要分开来理解。
书中的确说到了集电结正偏的问题，但是不要错误的认为正偏一定就会有电流流过，对于三极管来说这是一个理解上的误区，这个意义上的正偏指的是基极的电压大于集电极的电压，而不是真正像二极管那样可以正偏了就有电流了，否则的话不加Ube反而给Ubc加电压也可以导通，集电极和发射极可以互换了，但事实是不能互换的我们知道对于三极管没有输入电流是不会有输出电流的。从半导体内部结构来说，基极电流形成是由于与发射极扩散过来的自由电子复合形成的，因此即便在饱和状态下，发射极扩散过来的自由电子仍是不断增加的，它的浓度远大于集电极仍然是可以扩散过去的，倒是集电极的空穴有限无法全部复合掉，出现了一种发射有余收集不足的情况，因此在饱和状态下，从外部看来就是输入电流增大时输出电流不变且是最大值。
三、连接成二极管形式的NPN或PNP晶体管是什么意思？
一个二极管为1个N极和1个P极，NPN或PNP为三极管，三极管就是内部有两个二极管构成，NPN就是两个二极管共用一个P极，PNP就是两个二极管共用一个N极。
三级管特性
半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下：
第一部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器
四、电视机振荡，耦合，滤波，高频，晶体管！我头都大了！谁能帮我讲讲这几样啊？是什么原理，怎么样工作的？
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。
晶体管，最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
三极管，三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。三极管的主要应用分为两个方面。一是工作在饱和与截止状态，用作晶体管开关；二是工作在放大状态，用作放大器。放大区:此时IC=ßIB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。放大状态 ： uB＞0，发射结正偏，集电结反偏，iC=βiB。